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中国国产EUV光刻机的进展，一直被外媒视作中国半导体产业实现“自给自足”，进而改变地缘政治格局的晴雨表，其一举一动都备受关注。
近日，路透社引述知情人士的消息称，中国科研人员今年初，已在深圳打造出了一台极紫外（EUV）光刻机原型机。后者正在测试之中，已经可以射出极紫外光，不过目前还没能生产出可用芯片。
有意思的是，路透社称EUV光刻机的制造，是中国的“曼哈顿”计划。太平洋战争爆发后，美国启动绝密的“曼哈顿”计划，以求制造出可用于实战的原子弹。期间除了极少数带头人外，10多万参与者，根本不知道他们工作的最终目标是什么——当时的副总统杜鲁门，甚至都不知道有这个计划。
报道还指出，通过逆向工程打造中国EUV光刻机的技术精英，来自荷兰ASML公司的工程师团队。ASML是全球唯一能制造EUV光刻机的半导体巨擘。
路透社在文中透露，中国政府设定EUV光刻机的投产节点是2028年，但项目人士判断，真正投产可能要到2030年。不过这依然要比西方预期中的要快好几年。
尽管处于高度的保密状态，但中国在光刻机领域的不懈投入和取得的相关进步，外界还是能隐隐约约感知到的。路透社的这篇报道，或许在一些细节上与事实有所出入，但大体的结论，应该还是“靠谱”的。
有业内人士透露，在光刻机的攻关上，中国走的是“饱和式研发”之路。除了EUV，中国同时还在全力打造具有完全独立自主知识产权的DUV（深紫外）光刻机。
DUV光刻机，主要用于生产成熟制程芯片，一般是指28纳米以及低于该制程的芯片。但如果通过多次曝光，也足以生产7纳米甚至是5纳米的先进制程芯片。
比如国内那家被华盛顿拉进黑名单的代工厂，据称就使用相对老旧的DUV光刻机，为同样被制裁的某品牌手机，生产7纳米芯片。2023年8月底，配备7纳米芯片的品牌手机，一经上市就轰动全球，正式宣告美国不惜血本编织的制裁网络，被撕开一道大大的缺口。
各种消息渠道和用户感受，已清晰表明，在过去2年多的时间里，国产7纳米和等效5纳米性能芯片，已逐渐做到了稳定出货。今年二季度，国产芯片加持下的某品牌手机，自2020年第四季度后，时隔4年，以1250万台、18.1%的份额，重返中国智能手机市场排行榜第一位。
尽管通过DUV光刻机以多次曝光的方式，生产先进制程芯片，成本相对较高，且良率不如EUV光刻机制造的同等级芯片，然而在美国密不透风的制裁下，中国第一步要解决的，是打破封锁并在高制程芯片的制造领域扎下根来——短期较高的成本和略有遗憾的良率，反而是次要的。
目前，全球具备生产7纳米以及更高制程芯片的代工厂，只有台积电、三星电子和中国大陆那家众所周知的企业。
着实可笑的是，作为曾经的全球芯片制造翘楚，美国本土的英特尔居然一直卡在10纳米，无法再进一步。这也是美国人下定决心，要迫使台积电成为“美积电”的最大驱动力。
事实证明，只要在7纳米先进制程的滩头建立并巩固好桥头堡，后续的“夺岛”进程，就会顺利很多且不可逆转。比如采用堆叠、集群和软件优化，在最终的计算结果上，目前的中国产品，已能够与美国最先进水平旗鼓相当。
至于中国的军用芯片，就更不用担心了。和民用芯片相反，军用芯片更强调可靠、耐用，要经得起强辐射、高低温和剧烈震动的各种折腾，制程很少低于45纳米，很多都是上百纳米。即便是在2018年科技战爆发伊始，军用芯片的国产供给，就从未被担忧过。
这里需要澄清，虽然在军用平台与设备上，芯片只需在可靠的基础上够用即可，但要是从事包括高超音速飞行器等在内的前沿军事科学研究，则很难离开性能强大的芯片。这也是华盛顿总大呼小叫，声称要阻止美国高性能芯片被中国用于推进军事现代化建设的主要原因。
此外，7纳米以及更高制程的先进芯片，在当代国际竞争和地缘政治博弈中的主导地位，还体现在其能够通过左右算力优势，直接影响所在国人工智能产业的竞争力。
毕竟所谓算力，如果不考虑相关系统优化，很大程度上就是靠堆积先进芯片。相比美国，人口更多、工业体量更大的中国，在数据积累上是占据压倒性优势的。
在算法层面，中国同样不逊美国。暂时唯一不如美国的，就是算力。因为得益于掌控台积电，美国拥有的先进芯片数量，是要超过中国的。
前几年最为著名的人工智能芯片，就是台积电用7纳米工艺制造的英伟达A100。目前，中国不仅已能够生产与A100并驾齐驱的产品，而且美国人通过测试后还发现，某企业推出的昇腾910某款，推理性能更是达到了H100的60%。H100芯片的综合性能，是A100的2倍。
可是即便借助DUV光刻机的多次曝光，最多也只能推进到5纳米。要想生产出比5纳米制程更高的芯片，DUV光刻机便爱莫能助了。比如性能达到H100芯片2倍的H200，就是台积电使用从ASML进口的EUV光刻机，以4纳米工艺生产的。
目前，特朗普政府已基本允许英伟达向中国出口H200芯片，只是会从交易的收入中抽取25%提成。不过为了确保国产芯片在冲刺高制程的关键时刻不受外来“倾销”干扰，目前中国似乎无意接收H200。
正如白宫人工智能负责人戴维·萨克斯向彭博社所坦诚的：美国本想通过向中国出售并非最先进的芯片（H200），去抢占中国本土厂商的市场份额，但中国人识破了美方意图。
毋庸置疑，中国攻克EUV光刻机技术并实现5纳米以下更高制程芯片的生产，是国家级意志和战略级决心，绝对不会动摇。
荷兰ASML生产的EUV光刻机，是整个西方前沿工业的“总结晶”，有5000多家西方供应商参与其中，整机零部件更是超过10万个。核心系统中，光源来自美国技术，而镜头则由德国提供。
中国所要做的，就是集一国之力，完成整个西方协同一致才能生产出的EUV光刻机，其难度可见一斑。
不过，中国一向擅长于在工业制造领域，以一国之力抵御西方全部，无论是造船、光伏、锂电池还是新能源汽车，皆是如此。那么，有什么理由认为EUV光刻机会是例外呢？
无论是纯国产EUV还是纯国产DUV，都会在未来5年的“十五五”期间，正式交付并投入生产，这是极大概率的事情——纯国产DUV，可能已经处在调试阶段甚至是试生产之中。
相反，如果把眼光放长远，在中美AI持久战中，美国可能会逐渐陷入困境。
比如黄仁勋就表示，英伟达的每一代晶片，其研发成本可能超过200亿美元。数据显示，2024年，即便在严厉的出口禁令下，中国依然占据着英伟达全球销售额的13%，这意味着英伟达从中国市场赚走了170亿美元。
换言之，如果彻底丧失中国市场，那么英伟达的研发后劲，就一定会受到冲击。
还有，AI是新晋崛起的耗电大户。美国日趋破败的电力设施，究竟还能支撑美国算力中心扩张到何时，仍然是个未知数。而中国不仅发电量是美国的2.5倍，电力基础设施和相关技术，更是领先美国几乎两代。
同时，中国的AI人才，可是比美国多出了1.5万人，况且数量优势还在不断扩大之中。
如今的中美AI竞争，事实上已来到“马恩河时刻”。1914年8月一战开启后，德军根据“施里芬计划”，绕道比利时闪击法国，试图速战速决，然而却在9月受挫于马恩河。马恩河之战后，西线陷入堑壕对峙。
此后4年，英法凭借殖民地的资源与人力优势，逐渐占据了对德战争的上风。直至美国参战，一举打垮了德意志第二帝国。
当2023年夏天中国凭借现有设备和技术生产出7纳米芯片后，美国凭借算力优势一劳永逸击败中国的战略，就已如当年的“施里芬计划”，彻底烟消云散。
中美AI竞赛，从那时起，开始陷入到堑壕对峙的长期拉锯中。
未来5年，随着纯国产光刻机的逐一到位，届时中国人才、市场、能源和产业链优势，就将真正得以发挥。
当5至10年后算力优势也在我们这一边时，那么这场决定人类命运的科技世界大战，便一定会以中国的全面反攻为标志，走向终局。
文｜顾善闻 媒体人炒股在线配资
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